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depletion是什么_depletion

来源:互联网 发表时间:2023-03-13 03:14:10
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1、什么是depletion mode MOSFET  根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。

2、耗尽型是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。

3、  耗尽型MOS场效应管,是在制造过程中,预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子,因此,在UGS=0时,这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子,形成N型导电沟道。


(资料图)

4、  当UDS>0时,将产生较大的漏极电流ID。

5、如果使UGS<0,则它将削弱正离子所形成的电场,使N沟道变窄,从而使ID减小。

6、当UGS更负,达到某一数值时沟道消失,ID=0。

7、使ID=0的UGS我们也称为夹断电压,仍用UP表示。

8、UGS

9、  N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似,只有一点不同,就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时,沟道已经存在。

10、该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面,在D、S之间制造的,称之为初始沟道。

11、N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.(a)所示,它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。

12、所以当VGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。

13、于是,只要有漏源电压,就有漏极电流存在。

14、当VGS>0时,将使ID进一步增加。

15、VGS<0时,随着VGS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID=0。

16、对应ID=0的VGS称为夹断电压,用符号VGS(off)表示,有时也用VP表示。

17、N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图1.(b)所示。

18、 (a) 结构示意图        (b) 转移特性曲线。

本文分享完毕,希望对你有所帮助。

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